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INFINEON FF650R17IE4DB2BOSA1 MODULO IGBT, 1.7KV, 930A, 4.15KW


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N. Articolo:
     8585-1833598
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FF650R17IE4DB2BOSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti PrimePACK 2 Series Massima tensione Collettore-Emettitore 1.7 kV Temperatura di esercizio max 150 °C Corrente di Collettore continua 930 A Stile di Case del Transistor modulo Terminazione IGBT Tab Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 2 V Dissipazione di potenza 4.15 kW Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Tecnologia Transistore IGBT IGBT 4 Montaggio Transistore a pannello Configurazione Transistore IGBT doppio
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, INFINEON, FF650R17IE4DB2BOSA1, 1833598, 183-3598
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