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IXYS SEMICONDUCTOR IXTH30N50L2 MOSFET,CANALE N,500V,30A,TO-247


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N. Articolo:
     8585-1829745
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTH30N50L2
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.2 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 30 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 400 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTH30N50L2, 1829745, 182-9745
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