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VISHAY SI9926CDY-T1-E3 MOSFET, DOPPIO, NN, SO-8


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N. Articolo:
     8585-1684059
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI9926CDY-T1-E3
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P - Corrente di drain continua (Id) canale N 8 A Resistenza RdsON canale N 0.018 ohm Resistenza RdsON canale P - Tipo di canale canale N Dissipazione di potenza canale N 3.1 W Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (07-Nov-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, VISHAY, SI9926CDY-T1-E3, 1684059, 168-4059
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