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ONSEMI FDG8850NZ MOSFET, DOPPIO, N, SMD, SC70-6


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N. Articolo:
     8585-1498956
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDG8850NZ
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Gamma di prodotti - Corrente di drain continua (Id) canale P - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P - Corrente di drain continua (Id) canale N 750 mA Resistenza RdsON canale N 0.25 ohm Resistenza RdsON canale P - Tipo di canale canale N Dissipazione di potenza canale N 360 mW Dissipazione di potenza canale P - Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SC-70 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ONSEMI, FDG8850NZ, 1498956, 149-8956
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