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ONSEMI FDN5630 Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in


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N. Articolo:
     8585-1471049
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDN5630
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 1.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SuperSOT Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 500 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (14-Jun-2023)
Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, ONSEMI, FDN5630, 1471049, 147-1049
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