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Transistor a effetto campo
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Articolo
MOSFET, Canale P, -55V, -19A, TO-220
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto:
icecat
Magazzino 7ZX53
N. Articolo:
7ZX53-30341313
Produttore:
Infineon
N. Art. Produtt.:
IRF9Z34NPBF
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Nome del prodotto=MOSFET, Tipo=IRF9Z34NPBF, Corrente di drain continua (Id)=-19 A, Dissipazione di potenza (Pd)=68 W, Pin=3, Resistenza ON (Rds(on))=100 mΩ, Temperatura di esercizio, max.=175 °C, Temperatura di esercizio, min.=-55 °C, Temperatura riflusso max.=300 °C, Tempo di caduta=41 ns, Tempo di ritardo accensione=13 ns, Tempo di ritardo spegnimento=30 ns, Tempo di salita=55 ns, Tensione di scarico di origine (Vds)=-55 V, Tensione gate-source=20 V, Confezione=Tubetto, Configurazione=Singola, Polarità transistore=Canale P, Tipo di montaggio=Passante, Tipo di pacchetto=TO-220
Altre informazioni:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Origine:
CN
Codice doganale:
8541100000
Altezza:
5 mm
Profondità:
30 mm
Peso lordo:
2 g
Larghezza:
10 mm
... >
Semiconduttori discreti
>
Transistori
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Transistori - MOSFET
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MOSFET di potenza
,
Transistor di potenza
,
MOSFET
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transistor a effetto campo
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