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IGBT, 1.2kV, 20A, TO-220


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N. Articolo:
     7ZX53-30253261
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXA12IF1200PB
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Nome del prodotto=IGBT, Tipo=IXA12IF1200PB, Collettore-emettitore tensione di saturazione max. (Vce(sat))=2.1 V, Corrente di collettore continua (Ic)=20 A, Corrente di dispersione emettitore=500 nA, Dissipazione di potenza (Pd)=85 W, Pin=3, Temperatura di esercizio, max.=125 °C, Temperatura di esercizio, min.=-40 °C, Temperatura riflusso max.=260 °C, Tensione gate-emettitore (Vge)=20 V, Tensione tra il collettore e l'emettitore (Vceo)=1.2 kV, Confezione=Tubetto, Configurazione=Singola, Tipo di montaggio=Passante, Tipo di pacchetto=TO-220
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, IGBT
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