Infineon Technologies IRLD024PBF MOSFET 1 Canale N 1.3 W HEXDIP

MOSFET

dati tecnici:
C(ISS): 870 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Logic Level Gate · Case: HEXDIP · Compatibile RoHS: Sì · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 2.5 A · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 1.3 W · Q(G): 18 C · Q(G) Tensione di riferimento: 5 V · R(DS)(on): 100 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 1.5 A · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 5 V · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 60 V · Tipo (tipo di produttore): IRLD024PBF · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 60 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 2 V