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Infineon Technologies IRFP3703PBF MOSFET 1 Canale N 3.8 W TO-247


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N. Articolo:
     7743-162652-BP
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRFP3703PBF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET

dati tecnici:
C(ISS): 8250 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: TO-247 · Compatibile RoHS: Sì · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 210 A · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 3.8 W · Q(G): 209 C · Q(G) Tensione di riferimento: 10 V · R(DS)(on): 2.8 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 76 A · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Serie (semiconduttori): HEXFET® · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 30 V · Tipo (tipo di produttore): IRFP3703PBF · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 30 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V

Altri termini di ricerca: MOSFET di potenza, Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, Infineon Technologies, IRFP3703PBF, 543-1156, FET
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