Infineon Technologies IRF3710SPBF MOSFET 1 Canale N 200 W D2PAK

MOSFET

dati tecnici:
C(ISS): 3130 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Standard · Case: D2PAK · Compatibile RoHS: Sì · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 57 A · Metodo di montaggio: montaggio superficiale · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 200 W · Q(G): 130 C · Q(G) Tensione di riferimento: 10 V · R(DS)(on): 23 mΩ · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 28 A · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Serie (semiconduttori): HEXFET® · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 100 V · Tipo (tipo di produttore): IRF3710SPBF · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 100 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA · U(GS)(th) max.: 4 V