Infineon Technologies BSP135H6327 MOSFET 1 Canale N 1.8 W TO-261-4

MOSFET

dati tecnici:
C(ISS): 146 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Deleption Mode · Case: TO-261-4 · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 120 mA · Metodo di montaggio: montaggio superficiale · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 1.8 W · Q(G): 4.9 C · Q(G) Tensione di riferimento: 5 V · R(DS)(on): 45 Ω · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 120 mA · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Serie (semiconduttori): SIPMOS® · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +150 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 600 V · Tipo (tipo di produttore): BSP135H6327 · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 600 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 94 µA · U(GS)(th) max.: 1 V