Infineon Technologies Transistor (BJT) - discreti BC859C SOT-23-3 Numero canali 1 PNP Tape cut

Transistor (BJT) - discreti

Transistore PNP

dati tecnici:
Caratteristiche (transistor): PNP · Case: SOT-23-3 · Collettore di corrente I(C): -100 mA · Corrente di dispersione di collettore I(CES): -15 nA · Fabbricante: Infineon Technologies · Frequenza di transizione f(T): 250 MHz · Guadagno di corrente DC (hFE): 420 · Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: -2 mA · Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: -5 V · Metodo di montaggio: montaggio superficiale · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 330 mW · Saturazione VCE (max.): -650 mV · Sigla produttore (componenti): INF · Tensione emissione collettore U(CEO): -30 V · Tipo (tipo di produttore): BC859C · Tipo transistor (categorizzazione): Transistor (BJT) - discreti