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Infineon Technologies BF999 MOSFET 1 Canale N 200 mW TO-236-3


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Informazioni sul prodotto
Produktabbildung
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N. Articolo:
     7743-153042-BP
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BF999
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET

Tetrodo MOSFET (nastro 8 mm) .

dati tecnici:
C(ISS): 2.5 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 10 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Case: TO-236-3 · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 30 mA · Metodo di montaggio: montaggio superficiale · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 200 mW · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +150 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 20 V · Tipo (tipo di produttore): BF999 · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 20 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 10 mA · U(GS)(th) max.: 12 V

Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, Infineon Technologies, BF999, FET, Transistore a effetto di campo
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