Infineon Technologies BSS139 MOSFET 1 Canale N 360 mW TO-236-3

MOSFET

dati tecnici:
C(ISS): 76 pF · C(ISS) Tensione riferimento: 25 V · Caratteristiche (transistor): Canale N · Caratteristiche Transistor: Deleption Mode · Case: TO-236-3 · Fabbricante: Infineon Technologies · I(d): 100 mA · Metodo di montaggio: montaggio superficiale · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 360 mW · Q(G): 3.5 C · Q(G) Tensione di riferimento: 5 V · R(DS)(on): 14 Ω · R(DS)(on) Corrente di riferimento: 0.1 mA · R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V · Serie (semiconduttori): SIPMOS® · Sigla produttore (componenti): INF · Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C · Temperatura di esercizio (max.) (n.): +150 °C · Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 250 V · Tipo (tipo di produttore): BSS139 · Tipo transistor (categorizzazione): MOSFET · U(DSS): 250 V · U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 56 µA · U(GS)(th) max.: 1 V