ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti MJE13007G TO-220AB Numero canali 1 NPN

Transistor (BJT) - discreti

dati tecnici:
Caratteristiche (transistor): NPN · Case: TO-220AB · Collettore di corrente I(C): 8 A · Compatibile RoHS: Sì · Corrente di dispersione di collettore I(CES): 100 µA · Fabbricante: ON Semiconductor · Frequenza di transizione f(T): 14 MHz · Guadagno di corrente DC (hFE): 5 · Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: 5 A · Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: 5 V · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 80 W · Saturazione VCE (max.): 3 V · Serie (semiconduttori): SWITCHMODE™ · Sigla produttore (componenti): OnS · Tensione emissione collettore U(CEO): 400 V · Tipo (tipo di produttore): MJE13007 · Tipo transistor (categorizzazione): Transistor (BJT) - discreti