ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti 2N3055G TO-3 Numero canali 1 NPN

Transistori

dati tecnici:
Caratteristiche (transistor): NPN · Case: TO-3 · Collettore di corrente I(C): 15 A · Corrente di dispersione di collettore I(CES): 700 µA · Fabbricante: ON Semiconductor · Guadagno di corrente DC (hFE): 20 · Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: 4 A · Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: 4 V · Metodo di montaggio: Custodia · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 115 W · Saturazione VCE (max.): 3 V · Sigla produttore (componenti): OnS · Tensione emissione collettore U(CEO): 60 V · Tipo (tipo di produttore): 2N3055G · Tipo prodotto: Transistor (BJT) - discreti

Nota:
Indicazione: Costruttore SIE=INF,HAR=FSC,MOT=ONS.