NXP Semiconductors Transistor (BJT) - discreti PHE13009,127 TO-220AB Numero canali 1 NPN

Transistore commutatore di potenza

dati tecnici:
Caratteristiche (transistor): NPN · Case: TO-220AB · Collettore di corrente I(C): 12 A · Compatibile RoHS: Sì · Corrente di dispersione di collettore I(CES): 100 µA · Fabbricante: NXP Semiconductors · Guadagno di corrente DC (hFE): 8 · Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: 5 A · Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: 5 V · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 80 W · Saturazione VCE (max.): 2 V · Sigla produttore (componenti): NXP · Tensione emissione collettore U(CEO): 400 V · Tipo (tipo di produttore): PHE13009,127 · Tipo transistor (categorizzazione): Transistor (BJT) - discreti