ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti D44H11TU TO-220-3 Numero canali 1 NPN

Transistor (BJT) - discreti

dati tecnici:
Caratteristiche (transistor): NPN · Case: TO-220-3 · Collettore di corrente I(C): 10 A · Compatibile RoHS: Sì · Corrente di dispersione di collettore I(CES): 10 µA · Fabbricante: ON Semiconductor · Frequenza di transizione f(T): 50 MHz · Guadagno di corrente DC (hFE): 40 · Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: 4 A · Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: 1 V · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 60 W · Saturazione VCE (max.): 1 V · Sigla produttore (componenti): OnS · Tensione emissione collettore U(CEO): 80 V · Tipo (tipo di produttore): D44H11TU · Tipo transistor (categorizzazione): Transistor (BJT) - discreti