ON Semiconductor Transistor (BJT) - discreti BD13616STU TO-126 Numero canali 1 PNP

Transistor (BJT) - discreti

dati tecnici:
Caratteristiche (transistor): PNP · Case: TO-126 · Collettore di corrente I(C): -1.5 A · Compatibile RoHS: Sì · Corrente di dispersione di collettore I(CES): -100 nA · Fabbricante: ON Semiconductor · Guadagno di corrente DC (hFE): 100 · Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: -150 mA · Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: -2 V · Metodo di montaggio: Foro passante · Numero canali: 1 · Potenza (max) P(TOT): 1.25 W · Saturazione VCE (max.): -500 mV · Sigla produttore (componenti): OnS · Tensione emissione collettore U(CEO): -45 V · Tipo (tipo di produttore): BD13616STU · Tipo transistor (categorizzazione): Transistor (BJT) - discreti