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Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; SOT227B


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N. Articolo:
     5068-VS-GT100DA120UF
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     VS-GT100DA120UF
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Produttore: VISHAY
Corpo: SOT227B
Tensione invertita max.: 1,2kV
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 100A
Corrente del collettore nel impulso: 240A
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Tecnologia: Trench
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