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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 20V; 1,5A; Idm: 3A; 1W; TUMT6


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-US6K4TR
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     US6K4TR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TUMT6
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 1,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,31Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 1,8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 3A
Riepilogo condizioni1
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