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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 2,3A; 300mW; SOT23


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 2,3A; 300mW; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 2,3A; 300mW; SOT23
N. Articolo:
     5068-TSM850N06CX-RFG
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM850N06CX RFG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 2,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 85mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 0,3W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 9,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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