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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 10,8A; 33,8W; TO220FP


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 10,8A; 33,8W; TO220FP
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 10,8A; 33,8W; TO220FP
N. Articolo:
     5068-TSM60NB190CI-C0G
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM60NB190CI C0G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO220FP
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 10,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,19Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 33,8W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 31nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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