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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 60V; 6A; 19W; PDFN56


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-TSM300NB06CR-RLG
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM300NB06CR RLG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: PDFN56
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 6A
Resistenza nello stato di conduzione: 30mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 19W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 18nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Riepilogo condizioni1
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