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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 40V; 12A; 23W; PDFN56


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-TSM110NB04LCR-RLG
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM110NB04LCR RLG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: PDFN56
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 12A
Resistenza nello stato di conduzione: 11mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 23W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 23nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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