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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -320mA; Idm: -3,5A; 1W; TO92


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-TP0606N3-G-P003
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     TP0606N3-G-P003
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaggio: THT
Corpo: TO92
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -320mA
Resistenza nello stato di conduzione: 3,5Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -3,5A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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