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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolare; 650V; 13A; Idm: 80A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-STW28N65M2
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STW28N65M2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Cassa: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 650V
Corrente di drenaggio: 13A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,18Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 170W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Versione: ESD
Tecnologia: MDmesh™ M2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±25V
Corrente di drain pulsata: 80A
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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