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Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolare; 950V; 6A; 90W; ESD


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     5068-STP6N95K5
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP6N95K5
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Cassa: TO220-3
Tensione drenaggio-fonte: 950V
Corrente di drenaggio: 6A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,25Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 90W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Versione: ESD
Tecnologia: SuperMESH5™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
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