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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 4A; Idm: 16A; 60W; TO220-3


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-STP5N80K5
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP5N80K5
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Cassa: TO220-3
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 4A
Resistenza nello stato di conduzione: 1,75Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 60W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 16A
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