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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 60V; 57A; Idm: 228A; 62,5W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STL50DN6F7
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STL50DN6F7
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: SMD
Cassa: PowerFLAT 5x6
Tensione drenaggio-fonte: 60V
Corrente di drenaggio: 57A
Resistenza nello stato di conduzione: 11mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 62,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 17nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 228A
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