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Transistor: IGBT; 650V; 40A; 283W; TO3P


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STGWT40H65DFB
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGWT40H65DFB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistori
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO3P
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 40A
Corrente del collettore nel impulso: 160A
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 283W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 0,21µC
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor igbt
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