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Transistor: IGBT; 650V; 10A; 115W; TO247-3


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STGW10M65DF2
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGW10M65DF2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
transistor igbt
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 10A
Corrente del collettore nel impulso: 40A
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 115W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 28nC
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