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Modulo: IGBT; transistor/transistor; semi ponte IGBT; Urmax: 650V


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STGSH80HB65DAG
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGSH80HB65DAG
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Produttore: STMicroelectronics
Corpo: ACEPACK SMIT
Tensione invertita max.: 650V
Struttura del semiconduttore: transistor/transistor
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 68A
Corrente del collettore nel impulso: 269A
Potenza dissipata: 250W
Montaggio elettrico: SMT
Tipo di modulo: IGBT
Topologia: semi ponte IGBT
Altri termini di ricerca: fet di giunzione
Riepilogo condizioni1
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