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Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-STGB19NC60HDT4
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGB19NC60HDT4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: STMicroelectronics
Montaggio: SMD
Corpo: D2PAK
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 19A
Corrente del collettore nel impulso: 60A
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 130W
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 53nC
Riepilogo condizioni1
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