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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolare; -40V; -60A; Idm: -150A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SQJ409EP-T1-BE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQJ409EP-T1_BE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: -40V
Corrente di drenaggio: -60A
Resistenza nello stato di conduzione: 12,6mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 68W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 260nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -150A
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