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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 30V; 12/16A


Quantità:  pacchetti  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIZ904DT-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIZ904DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 12/16A
Resistenza nello stato di conduzione: 30/17mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 20/33W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 12/23nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 30...40A
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, smd transistor
Riepilogo condizioni1
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