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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 30V; 33,4A; 16,7W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIZ342ADT-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIZ342ADT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
SMD transistor
Transistor SMD
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 33,4A
Resistenza nello stato di conduzione: 14,4mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 16,7W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 12,2nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 100A
Altri termini di ricerca: smd transistor
Riepilogo condizioni1
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