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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 70V; 31,8A; 33W


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N. Articolo:
     5068-SIZ256DT-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIZ256DT-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 70V
Corrente di drenaggio: 31,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 20mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 33W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 27nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 60A
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