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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 40V; 40A; Idm: 100A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIRB40DP-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIRB40DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: PowerPAK® SO8
Tensione drenaggio-fonte: 40V
Corrente di drenaggio: 40A
Resistenza nello stato di conduzione: 4,2mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 29,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 93nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -16...20V
Corrente di drain pulsata: 100A
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