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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 800V; 3,2A; Idm: 10A; 62,5W


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N. Articolo:
     5068-SIHU6N80AE-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHU6N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: THT
Corpo: IPAK;TO251
Tensione drenaggio-fonte: 800V
Corrente di drenaggio: 3,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,95Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 62,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 22,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 10A
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