Categorie
My Mercateo
Accedi / Registrati
Carrello
 
 

Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 21A; Idm: 54A; 132W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Product Image
Product Image
N. Articolo:
     5068-SIHK125N60EF-T1GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHK125N60EF-T1GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 21A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,125Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 132W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 45nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 54A
Offerte (3)
Stato magazzino
Quantità min.
Spedizione
Prezzo progressivo
Prezzo unitario
^
Magazzino 5068
2000
€ 7,90*
a partire da € 3,63*
€ 4,26*
2000
Franco domicilio
a partire da € 3,949*
€ 4,619*
4 giorni
2000
1
€ 14,99*
a partire da € 2,43*
€ 5,31*
Prezzi: Magazzino 5068
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
a partire da 2000 pezzi
€ 4,26*
€ 5,20
per pezzo
a partire da 7500 pezzi
€ 3,63*
€ 4,43
per pezzo
Ordini solo in multipli di 2.000 pezzi
Quantità minima di ordine: 2000 pezzi ( € 8.520,00* più IVA )
Stato magazzino: Magazzino 5068
Spedizione: Magazzino 5068
Valore dell'ordine
Spedizione
a partire da € 0,00*
€ 7,90*
Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
Questo articolo è escluso dallo storno, dal cambio e dalla restituzione.
Il periodo di garanzia in base alle CGC resta immutato indipendentemente dai diritti di restituzione indicati.
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217