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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 38A; Idm: 173A; 417W; TO247AC


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-SIHG70N60AEF-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHG70N60AEF-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: VISHAY
Montaggio: THT
Corpo: TO247AC
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 38A
Resistenza nello stato di conduzione: 40mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 417W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 394nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 173A
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