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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 30V; 4,5A; Idm: 30A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIA928DJ-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIA928DJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 4,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 33mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 7,8W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 10nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 30A
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, smd transistor
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