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Transistor: P-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolare; -20V


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SIA811ADJ-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIA811ADJ-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
fet di giunzione
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -4,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,205Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET + Schottky
Potenza dissipata: 6,8W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 13nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: -8A
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