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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 5,8A; Idm: 20A; 1,3W; SOT23


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 5,8A; Idm: 20A; 1,3W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 5,8A; Idm: 20A; 1,3W; SOT23
N. Articolo:
     5068-SI2366DS-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI2366DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 5,8A
Resistenza nello stato di conduzione: 36mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 10nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 20A
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