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Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolare; 20V; 515mA; 280mW


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SI1024X-T1-GE3
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI1024X-T1-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: VISHAY
Montaggio: SMD
Corpo: SC89;SOT563
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 515mA
Resistenza nello stato di conduzione: 1,25Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,28W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 0,75nC
Tecnologia: TrenchFET®
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±6V
Corrente di drain pulsata: 0,65A
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