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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 30V; 9A; Idm: 18A; 3W; SOP8


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-SH8KA4TB
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SH8KA4TB
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOP8
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 9A
Resistenza nello stato di conduzione: 28,9mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 3W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 15,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 18A
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