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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -200mA; Idm: -0,25A; 200mW


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -200mA; Idm: -0,25A; 200mW
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -30V; -200mA; Idm: -0,25A; 200mW
N. Articolo:
     5068-RSC002P03T316
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RSC002P03T316
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOT23
Tensione drenaggio-fonte: -30V
Corrente di drenaggio: -200mA
Resistenza nello stato di conduzione: 1,6Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 0,2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -0,25A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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