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Transistor: IGBT; 650V; 25A; 87W; TO247-3


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-RGTH50TS65DGC11
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGTH50TS65DGC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 25A
Corrente del collettore nel impulso: 100A
Tempo d'avvio: 65ns
Tempo d'interruzione: 172ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 87W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 49nC
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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