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Transistor: IGBT; 650V; 20A; 70W; LPDS


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-RGT40NS65DGTL
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RGT40NS65DGTL
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: LPDS
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±30V
Corrente del collettore: 20A
Corrente del collettore nel impulso: 60A
Tempo d'avvio: 51ns
Tempo d'interruzione: 204ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 70W
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: integrated anti-parallel diode
Carico della porta: 40nC
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Accessori
Radiatore: estruso; TO252,TO263; nero; L: 12,7mm; W: 25,91mm; D
Ohmite
DA-T263-101E-TR
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